BC847BDW1T1G

Symbol Micros: TBC847bdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88 t/r
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BDW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1625 0,0772 0,0435 0,0328 0,0295
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88 t/r
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

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