BC847BDW1T1G

Symbol Micros: TBC847bdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88 t/r
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SC-88 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847BDW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1616 0,0768 0,0432 0,0326 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SC-88 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

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