BC847BLT1

Symbol Micros: TBC847blt1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 100mA 45V 225mW NPN 100mA 45V 225mW
Parameter
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9558 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0786 0,0303 0,0148 0,0118 0,0112
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1872 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0786 0,0303 0,0148 0,0118 0,0112
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Standard-Verpackung:
1992
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BLT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
173000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0155
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 225mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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