BC847BLT1

Symbol Micros: TBC847blt1

Gehäuse: SOT23

NPN 100mA 45V 225mW NPN 100mA 45V 225mW

Parameter

Verlustleistung:	225mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	450
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1872 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0893	0,0352	0,0206	0,0150	0,0137

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847BLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

9558 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0893	0,0352	0,0206	0,0150	0,0137

Verlustleistung:	225mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	450
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN