BC847BPDW1T1G ONS

Symbol Micros: TBC847bpdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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NPN 100mA 45V 250mW 100MHz NPN 100mA 45V 250mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1555 0,0738 0,0415 0,0316 0,0282
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T1G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
741000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0282
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T1G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0282
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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