BC847BPDW1T1G ONS

Symbol Micros: TBC847bpdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 100mA 45V 250mW 100MHz NPN 100mA 45V 250mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1320 0,0605 0,0330 0,0248 0,0220
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole