BC847BPDW1T1G ONS

Name: TBC847bpdw TBC847bpdw
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBC847bpdw
Price: 0.0281 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBC847bpdw

Gehäuse: SOT363

NPN 100mA 45V 250mW 100MHz NPN 100mA 45V 250mW 100MHz

Parameter

Verlustleistung:	380mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	475
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1549	0,0735	0,0414	0,0314	0,0281

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T3G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

40000 stk.

Anzahl Stück	10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0281

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

282000 stk.

Anzahl Stück	21000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0281

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847BPDW1T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

402000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0281

Verlustleistung:	380mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	475
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP