BC847BPN

Symbol Micros: TBC847bpn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor
Parameter
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC847BPN,115 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
10090 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1396 0,0641 0,0350 0,0261 0,0233
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 400mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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