BC847BPN
Symbol Micros:
TBC847bpn
Gehäuse: SOT363
BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor
Parameter
| Verlustleistung: | 400mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC847BPN,115 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
11590 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1440 | 0,0685 | 0,0386 | 0,0292 | 0,0262 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BC847BPN,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
993000 stk.
| Anzahl Stück | 18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0262 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BC847BPN,125
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
27000 stk.
| Anzahl Stück | 18000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0262 |
| Verlustleistung: | 400mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN/PNP |
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