BC847BS China
Symbol Micros:
TBC847bs c
Gehäuse: SOT363
Transistor Dual-NPN; Bipolar; 300mV; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Transistor Dual-NPN; Bipolar; 300mV; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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