BC847BS China
Symbol Micros:
TBC847bs c
Gehäuse: SOT363
Transistor Dual-NPN; Bipolar; 300mV; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Transistor Dual-NPN; Bipolar; 300mV; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: MIC
Hersteller-Teilenummer: BC847BS RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1302 | 0,0596 | 0,0326 | 0,0243 | 0,0217 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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