BC847BS DIODES
Symbol Micros:
TBC847bs Diodes
Gehäuse: SOT363
Transistor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC847BS-7-F; BC847BS-TP; BC847BS-13-F; BC847BS DIODES;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC847BS-7-F RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1281 | 0,0608 | 0,0342 | 0,0261 | 0,0233 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC847BS-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
183830 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0233 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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