BC847BS DIODES

Symbol Micros: TBC847bs Diodes

Gehäuse: SOT363

Transistor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC847BS-7-F; BC847BS-TP; BC847BS-13-F; BC847BS DIODES;

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	DIODES
Stromverstärkungsfaktor:	450
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847BS-7-F RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1328	0,0608	0,0333	0,0248	0,0221

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Geplantes Datum:
2026-06-05

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	DIODES
Stromverstärkungsfaktor:	450
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	2xNPN