BC847BS DIODES

Symbol Micros: TBC847bs Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC847BS-7-F; BC847BS-TP; BC847BS-13-F; BC847BS DIODES;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847BS-7-F RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1252 0,0594 0,0335 0,0255 0,0228
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847BS-7-F Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
555000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0228
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847BS-13-F Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
110000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0228
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN