BC847BV

Symbol Micros: TBC847bv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT-666
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT-666
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC847BV RoHS Gehäuse: SOT-666 Datenblatt
Auf Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5449 0,3288 0,2537 0,2288 0,2177
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Standard-Verpackung:
4000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT-666
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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