BC847BWT1G ONS

Symbol Micros: TBC847bw ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SC70-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BWT1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0902 0,0355 0,0208 0,0152 0,0139
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BWT1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
4908000 stk.
Anzahl Stück 15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0139
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BWT1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
3963000 stk.
Anzahl Stück 45000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0139
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 200
Gehäuse: SC70-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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