BC847BWT1G ONS
Symbol Micros:
TBC847bw ONS
Gehäuse: SC70-3
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SC70-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC847BWT1G
Gehäuse: SC70-3
Externes Lager:
480000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0116 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC847BWT1G
Gehäuse: SC70-3
Externes Lager:
1917000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0103 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC847BWT1G
Gehäuse: SC70-3
Externes Lager:
555000 stk.
| Anzahl Stück | 42000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0087 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SC70-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 200 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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