BC847BWT1G ONS

Symbol Micros: TBC847bw ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BWT1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0835 0,0329 0,0192 0,0140 0,0128
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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