BC847BW-QX

Symbol Micros: TBC847BW-QX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
Transistor NPN; Bipolar; 450; 45V; 200mW; 100mA; 100MHz; -65°C~150°C; BC847BW-QF;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC847BW-Q RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1587 0,0754 0,0424 0,0323 0,0289
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN