BC847C SOT23(T/R) RealChip

Symbol Micros: TBC847c REA
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847C-DIO; BC847C-CDI; BC847C-YAN;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: RealChip
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BC847C RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5980 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0435 0,0163 0,0087 0,0065 0,0060
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: RealChip
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN