BC847CDW1T1G
Symbol Micros:
TBC847cdw
Gehäuse: SC-88 t/r
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
| Verlustleistung: | 380mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SC-88 t/r |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-03-26
Anzahl Stück: 3000
| Verlustleistung: | 380mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SC-88 t/r |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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