BC847CDW1T1G
Symbol Micros:
TBC847cdw
Gehäuse: SC-88 t/r
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
| Verlustleistung: | 380mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Gehäuse: | SC-88 t/r |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BC847CDW1T1G RoHS
Gehäuse: SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1225 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1433 | 0,0680 | 0,0384 | 0,0291 | 0,0260 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BC847CDW1T1G
Gehäuse: SC-88 t/r
Externes Lager:
1197000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0260 |
| Verlustleistung: | 380mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Gehäuse: | SC-88 t/r |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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