BC847CDW1T1G

Symbol Micros: TBC847cdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88 t/r
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SC-88 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847CDW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1225 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1429 0,0678 0,0383 0,0290 0,0260
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847CDW1T1G Gehäuse: SC-88 t/r  
Externes Lager:
1611000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0260
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC847CDW1T1G Gehäuse: SC-88 t/r  
Externes Lager:
216000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0260
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SC-88 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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