BC847CT-7-F

Symbol Micros: TBC847CT-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
Transistor NPN; Bipolar; 800; 45V; 100MHz; 100mA; 150mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT523
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT523
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN