BC847PNH6327 Infineon

Symbol Micros: TBC847pn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
NPN/PNP 45V 0.1A 250mW 250MHz NPN/PNP 45V 0.1A 250mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP