BC847PNH6327 Infineon

Symbol Micros: TBC847pn

Gehäuse: SOT363

NPN/PNP 45V 0.1A 250mW 250MHz NPN/PNP 45V 0.1A 250mW 250MHz

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	450
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847PNH6433XTMA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0435

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847PNH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0435

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	450
Gehäuse:	SOT363
Grenzfrequenz:	250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN/PNP