BC847PN-7-F
Symbol Micros:
TBC847PN-7-F Diodes
Gehäuse: SOT363
Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Hersteller: | DIODES |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Grenzfrequenz: | 300MHz |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC847PN-7-F RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1662 | 0,0789 | 0,0445 | 0,0337 | 0,0302 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC847PN-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0302 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BC847PN-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
6039000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0302 |
Verlustleistung: | 200mW |
Hersteller: | DIODES |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Grenzfrequenz: | 300MHz |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN/PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole