BC847PN-7-F

Symbol Micros: TBC847PN-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847PN-7-F RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1377 0,0653 0,0369 0,0280 0,0250
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP