BC847PN China

Symbol Micros: TBC847pn c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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NPN/PNP 100/-100mA 45/-45V 200mW 300/200MHz NPN/PNP 100/-100mA 45/-45V 200mW 300/200MHz
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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