BC847PN SOT363 HT SEMI

Symbol Micros: TBC847pn HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor NPN/PNP; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; BC847PNH6433XTMA1; BC847PNH6727XTSA1; BC847PNH6327XTSA1; SP000747288; SP000747296; SP000747292;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BC847PN RoHS .:7P Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
Nettopreis (EUR) 0,0788 0,0303 0,0147 0,0116 0,0113
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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