BC847PN-TP SOT363 MCC

Symbol Micros: TBC847PN-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BC847PN-TP RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2053 0,0975 0,0548 0,0418 0,0373
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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