BC847SH6327XTSA1

Symbol Micros: TBC847sh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847SH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2237 0,1238 0,0822 0,0686 0,0639
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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