BC847SH6327XTSA1

Symbol Micros: TBC847sh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847SH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2251 0,1246 0,0827 0,0690 0,0643
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0643
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
3624000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0643
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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