BC848BWT1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TBC848bw ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT3) Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 (SOT3)
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC848BWT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2118 0,0843 0,0516 0,0415 0,0385
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Standard-Verpackung:
150
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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