BC849CLT1G

Symbol Micros: TBC849c ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC849CLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3880 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0898 0,0353 0,0207 0,0151 0,0138
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC849CLT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0138
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole