BC850B NXP
Symbol Micros:
TBC850b NXP
Gehäuse: SOT23
Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23 Transistor : NPN; Bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT23
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC850B,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5750 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2113 | 0,1170 | 0,0777 | 0,0647 | 0,0603 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BC850B,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0603 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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