BC850C.215 NXP

Symbol Micros: TBC850c NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole