BC850C.215 NXP

Symbol Micros: TBC850c NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC850C,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2274 0,1259 0,0836 0,0697 0,0649
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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