BC850C.215 NXP

Symbol Micros: TBC850c NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC850C,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1734 0,0824 0,0462 0,0352 0,0315
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN