BC856B smd NXP

Symbol Micros: TBC856b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 65V 250mW 100MHz 220 < beta < 475
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC856B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1200 0,0550 0,0301 0,0224 0,0200
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/30000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC856B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
634 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1200 0,0550 0,0301 0,0224 0,0200
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/18000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole