BC856B-7-F

Symbol Micros: TBC856B-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC856B-13-F;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC856B-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1129 0,0518 0,0282 0,0211 0,0188
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP