BC856B-7-F

Symbol Micros: TBC856B-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC856B-13-F;
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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