BC856BLT1G

Symbol Micros: TBC856b ONS
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Gehäuse: SOT23-3
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PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC856BLT1G Gehäuse: SOT23-3  
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Geplantes Datum:
2027-04-09
Anzahl Stück: 9000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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