BC856BLT1G
Symbol Micros:
TBC856b ONS
Gehäuse: SOT23-3
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BC856BLT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 6000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0856 | 0,0340 | 0,0170 | 0,0136 | 0,0132 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BC856BLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
221500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0493 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-06-30
Anzahl Stück: 9000
| Verlustleistung: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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