BC856BLT1G
Symbol Micros:
TBC856b ONS
Gehäuse: SOT23-3
PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23 PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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