BC856BDWT1G
Symbol Micros:
TBC856BDW1
Gehäuse: SC-88
Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88
Parameter
Verlustleistung: | 380mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SC-88 |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G RoHS
Gehäuse: SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1587 | 0,0752 | 0,0424 | 0,0321 | 0,0288 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T3G
Gehäuse: SC-88
Externes Lager:
270000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0288 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G
Gehäuse: SC-88
Externes Lager:
3207000 stk.
Anzahl Stück | 21000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0288 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G
Gehäuse: SC-88
Externes Lager:
3246000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0288 |
Verlustleistung: | 380mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SC-88 |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xPNP |
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