BC856BDWT1G

Symbol Micros: TBC856BDW1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC856BDW1T1G RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1181 0,0543 0,0295 0,0221 0,0197
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole