BC856BW,115 NEXPERIA
Symbol Micros:
TBC856bw NXP
Gehäuse: SOT323
Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC856BW,115; BC856BW,135; BC856BW.115; BC856BW.135;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole