BC856BW,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TBC856bw NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC856BW,115; BC856BW,135; BC856BW.115; BC856BW.135;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC856BW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0978 0,0385 0,0225 0,0165 0,0151
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP