BC856S

Symbol Micros: TBC856s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz 2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 110
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC856S,115 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1396 0,0640 0,0349 0,0260 0,0233
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: BC856S Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0233
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 110
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP