BC856S
Symbol Micros:
TBC856s
Gehäuse: SOT363
2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz 2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 110 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC856S,115 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5980 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2660 | 0,1415 | 0,1097 | 0,1012 | 0,0970 |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: BC856S
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0970 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 110 |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xPNP |
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