BC856S
Symbol Micros:
TBC856s
Gehäuse: SOT363
2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz 2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 110 |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC856S,115 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5980 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1396 | 0,0640 | 0,0349 | 0,0260 | 0,0233 |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: BC856S
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0233 |
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 110 |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xPNP |
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