BC857BDW1T1G

Symbol Micros: TBC857bdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363 t/r
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Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT363 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1563 0,0743 0,0417 0,0317 0,0284
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G Gehäuse: SOT363 t/r  
Externes Lager:
1743000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0284
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G Gehäuse: SOT363 t/r  
Externes Lager:
1209000 stk.
Anzahl Stück 24000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0284
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT363 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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