BC857BDW1T1G

Name: TBC857bdw TBC857bdw
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TBC857bdw
Price: 0.0275 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBC857bdw

Gehäuse: SOT363 t/r

Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive

Parameter

Verlustleistung:	380mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT363 t/r
Stromverstärkungsfaktor:	475
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

4900 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1512	0,0719	0,0403	0,0307	0,0275

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G Gehäuse: SOT363 t/r

Externes Lager:

501000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0275

Verlustleistung:	380mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT363 t/r
Stromverstärkungsfaktor:	475
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	2xPNP