BC857BDW1T1G

Symbol Micros: TBC857bdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363 t/r
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Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive
Parameter
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT363 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC857BDW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1550 0,0738 0,0413 0,0315 0,0282
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 380mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT363 t/r
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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