BC857BS JGSEMI

Symbol Micros: TBC857bs JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xPNP-Transistor; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F, BC857BS-13-F; BC857BS-TP; BC857BS_R1_00001;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BC857BS RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0825 0,0319 0,0155 0,0123 0,0118
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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