BC857BS-QX

Symbol Micros: TBC857BS-QX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857BS-QX RoHS Gehäuse: SOT363 t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3437 0,1888 0,1485 0,1375 0,1318
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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