BC857BS SOT363 RealChip
Symbol Micros:
TBC857bs REA
Gehäuse: SOT363
Transistor PNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | RealChip |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | RealChip |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 630 |
| Grenzfrequenz: | 200MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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