BC857BTT1G

Symbol Micros: TBC857bt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 BC857BT,115
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC857BTT1G RoHS Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3) Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0974 0,0384 0,0224 0,0164 0,0150
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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