BC857BTT1G

Name: TBC857bt TBC857bt
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TBC857bt
Price: 0.0149 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBC857bt

Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 BC857BT,115

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	475
Gehäuse:	SOT416 =(SC-75-3)
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC857BTT1G RoHS Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3) Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1012	0,0400	0,0233	0,0170	0,0156

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC857BTT1G Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)

Externes Lager:

2751000 stk.

Anzahl Stück	36000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0156

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC857BTT1G Gehäuse: SOT416 =(SC-75-3)

Externes Lager:

150000 stk.

Anzahl Stück	12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0156

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	ONSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	475
Gehäuse:	SOT416 =(SC-75-3)
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP