BC857BW,115

Symbol Micros: TBC857bw NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857BW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,3102 0,1710 0,1137 0,0947 0,0883
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC857BW,135 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0883
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC857BW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
1050000 stk.
Anzahl Stück 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0883
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP