BC857BW,115
Symbol Micros:
TBC857bw NXP
Gehäuse: SOT323
Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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