BC857BW,115
Symbol Micros:
TBC857bw NXP
Gehäuse: SOT323
Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC857BW,115 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1050 | 0,0480 | 0,0262 | 0,0196 | 0,0175 |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: BC857BWHE3-TP
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
888000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0233 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-08-13
Anzahl Stück: 9000
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole