BC857BW YANGJIE TECHNOLOGY
Symbol Micros:
TBC857BW YY
Gehäuse: SOT323
Transistor: PNP; Bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323 BC857BW-YAN; BC857BW_ R2 _00001; BC857BW-R2;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | YY |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Hersteller: | YY |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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