BC857C SOT23-3

Symbol Micros: TBC857c c

Gehäuse: SOT23-3

Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC857C-YAN

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Nexperia
Stromverstärkungsfaktor:	800
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: BC857C RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0617	0,0231	0,0124	0,0092	0,0085

Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: BC857C RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r

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1580 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0617	0,0231	0,0124	0,0092	0,0085

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Geplantes Datum:
2026-02-13

Anzahl Stück: 9000

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	Nexperia
Stromverstärkungsfaktor:	800
Gehäuse:	SOT23-3
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP