BC857S SOT363 HT SEMI

Symbol Micros: TBC857s HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
DUAL-PNP -100mA -45V 300mW 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BC857S RoHS 3C Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0760 0,0294 0,0143 0,0114 0,0109
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 630
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP