BC857S LMSEMI

Symbol Micros: TBC857s LMS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xPNP-Transistor; 630; 300mW, 45V; 200mA; 200MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857SE6327BTSA1; BC857SE6433HTMA1; BC857SH6327XTSA1; BC857SH6433XTMA1; BC857SH6794XTSA1; BC857SH6827XTSA1; BC857SH RFG; BC857S-TP;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: LMSEMI
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: LMSEMI
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 630
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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