BC858B,215

Symbol Micros: TBC858b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC858B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
8198 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3011 0,1597 0,1237 0,1141 0,1094
Standard-Verpackung:
3000/12000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC858B,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1094
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BC858B,235 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
810000 stk.
Anzahl Stück 20000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1094
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP