BC858B,215

Symbol Micros: TBC858b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC858B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
8198 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3025 0,1605 0,1243 0,1146 0,1099
Standard-Verpackung:
3000/12000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP