BC858B SOT23 HT SEMI

Symbol Micros: TBC858b HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 475; 330mW; 30V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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