BC858B SOT23 HT SEMI

Symbol Micros: TBC858b HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 330mW; 30V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BC858B RoHS 3K Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0440 0,0161 0,0085 0,0063 0,0059
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: HT
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP