BC858BE6327HTSA1 INF

Symbol Micros: TBC858b INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Transistor GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC858BE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0952 0,0375 0,0219 0,0160 0,0147
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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