BC859C smd
Symbol Micros:
TBC859c
Gehäuse: SOT23
PNP 100mA 30V 250mW 100MHz 420 < beta < 800 PNP 100mA 30V 250mW 100MHz 420 < beta < 800
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: BC859C .3G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0631 | 0,0243 | 0,0118 | 0,0094 | 0,0090 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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