BC859C SOT23 MSKSEMI

Symbol Micros: TBC859c MSK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Trans Bipolar (BJT) BC859C-MS;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: MSK
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: MSKSEMI Hersteller-Teilenummer: BC859C-MS RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 1500+ 7500+
Nettopreis (EUR) 0,0802 0,0308 0,0159 0,0124 0,0115
Standard-Verpackung:
1500
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: MSK
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN