BC859C SOT23 MSKSEMI

Symbol Micros: TBC859c MSK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans Bipolar (BJT) BC859C-MS;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: MSK
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: MSK
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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