BC860B SOT23 LGE
Symbol Micros:
TBC860b LGE
Gehäuse: SOT23
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: BC860B RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0568 | 0,0213 | 0,0114 | 0,0085 | 0,0078 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | LGE |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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