BC860B SOT23 LGE

Symbol Micros: TBC860b LGE

Gehäuse: SOT23

Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	475
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2027-02-20

Anzahl Stück: 6000

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	475
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP