BC860B SOT23 LGE

Symbol Micros: TBC860b LGE

Gehäuse: SOT23

Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	475
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC860B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0561	0,0210	0,0112	0,0084	0,0077

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	475
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP