BC860BW SOT23 NEXPERIA

Symbol Micros: TBC860bw NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC860BW,115;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC860BW,115 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1491 0,0707 0,0398 0,0302 0,0271
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP