BC860C smd

Symbol Micros: TBC860c

Gehäuse: SOT23

PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 420 < beta < 800 PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 420 < beta < 800

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC860C RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0784	0,0302	0,0147	0,0117	0,0112

Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: BC860C RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

180 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0784	0,0302	0,0147	0,0117	0,0112

Verlustleistung:	250mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0875	0,0344	0,0201	0,0147	0,0135