BC868,115

Symbol Micros: TBC868
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
Transistor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 375
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC868,115 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
520 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2896 0,1535 0,1189 0,1098 0,1051
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC868.115 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
107 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2966 0,1567 0,1215 0,1121 0,1074
Standard-Verpackung:
967
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC868.115 RoHS Gehäuse: SOT89 t/r Datenblatt
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2966 0,1567 0,1215 0,1121 0,1074
Standard-Verpackung:
33
Verlustleistung: 1,35W
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 375
Gehäuse: SOT89
Grenzfrequenz: 170MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN