BCM846S

Symbol Micros: TBCM846s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCM846SH6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2118 0,1061 0,0631 0,0522 0,0470
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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