BCM856S

Symbol Micros: TBCM856s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCM856SH6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
209 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 309+ 1236+
Nettopreis (EUR) 0,2523 0,1268 0,0759 0,0628 0,0561
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
309
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 450
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole