BCM856S

Symbol Micros: TBCM856s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCM856SH6327 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
209 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 309+ 1236+
Nettopreis (EUR) 0,2531 0,1273 0,0762 0,0630 0,0562
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Standard-Verpackung:
309
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BCM856SH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0562
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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