BCP53,115

Symbol Micros: TBCP53 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Transistor GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Parameter
Verlustleistung: 650mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 63
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 145MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BCP53,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6523 0,4112 0,3214 0,2931 0,2836
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 650mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 63
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 145MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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